In occasione dell’evento Memory and Storage 2020, Intel ha presentato sei nuovi prodotti di memoria e storage che aiuteranno gli utenti ad affrontare le sfide della digital transformation. Elementi fondamentali nell’avanzare l’innovazione in questo settore, Intel ha annunciato nuovi prodotti della serie di Solid State Drive Intel Optane: Intel Optane SSD P5800X, il più veloce SSD per data center al mondo, e Intel Optane Memory H20 per i client, con elevate prestazioni e produttività mainstream per il gaming e la creazione di contenuti. Optane contribuisce a rispondere alle moderne esigenze del calcolo portando la memoria più vicina alla CPU. Intel ha anche annunciato che presenterà la propria memoria persistente Intel Optane di terza generazione per i clienti cloud ed enterprise.
“La giornata odierna rappresenta un momento chiave per la nostra roadmap memory and storage. Con la presentazione di questi nuovi prodotti Optane continuiamo sul nostro percorso di innovazione, rafforziamo il nostro portfolio di memorie e soluzioni di storage e consentiamo ai nostri clienti di gestire al meglio la complessità della digital transformation. I prodotti e le tecnologie Optane stanno diventando un elemento base dell’IT aziendale e in quanto parte di Intel, questi prodotti contribuiscono all’avanzamento delle nostre priorità di crescita a lungo termine, tra cui AI, 5G networking e l’edge autonomo e intelligente.”
— Alper Ilkbahar, Vice President, Data Platforms Group e General Manager, Intel Optane Group
Intel ha inoltre annunciato tre nuovi SSD NAND con memoria cellulare a 144 strati: Intel SSD 670p, l’SSD NAND 3D NAND quad-level-cell di nuova generazione a 144 strati dell’azienda per il computing mainstream; Intel SSD D7-P5510, il primo prodotto NAND triple-level-cell a 144 strati a raggiungere mercato; e Intel SSD D5-P5316, un SSD ad alta densità e maggiore e grande durata costruito attorno alla prima NAND QLC a 144 strati del settore.
Con gli annunci di oggi sulla tecnologia Intel Optane, Intel crea l’ennesimo nuovo livello nella piramide delle soluzioni di memoria e storage per i data center, che combina gli attributi delle DRAM e delle NAND. Gli SSD Intel Optane riducono i colli di bottiglia nella fornitura di dati e accelerano le applicazioni con caching e storage veloci per aumentare la scalabilità per server e ridurre i costi di transazione per i carichi di lavoro sensibili alla latenza.
La memoria persistente Intel Optane rappresenta la visione di Intel di una soluzione memory and storage che offre persistenza, capacità, convenienza, bassa latenza e velocità. Con la memoria persistente Intel Optane, l’azienda ha riprogettato la memoria e la gerarchia di archiviazione consentendone l’utilizzo come livello distinto di capacità e prestazioni per memoria e storage. Con questo approccio, è possibile creare un’architettura di memoria a due livelli in cui il DRAM è il livello di prestazioni e la memoria persistente è il livello di capacità. Nel caso dello storage, la memoria persistente Optane viene utilizzata come livello di prestazioni per il livello di capacità NAND.
La memoria persistente Intel Optane è collegata alla CPU da un rate bus a doppi dati che consente l’accesso load-and-store diretto a velocità DRAM; come memoria non volatile, riunisce i migliori elementi sia della memoria sia dello storage.
Intel rafforzerà ed estenderà ulteriormente il proprio esclusivo portfolio memory and storage con la sua terza generazione di memoria persistente Intel Optane, nome in codice “Crow Pass” e nei futuri processori scalabili Intel Xeon.
Tre nuovi SSD NAND annunciati oggi rappresentano nuove pietre miliari per stabilire le tecnologie TLC e QLC come mainstream per unità ad alta capacità. L’SSD NAND 3D Intel 670p è l’SSD NAND 3D QLC a 144 strati di nuova generazione di Intel per l’elaborazione mainstream. L’SSD Intel D7-P5510 è il primo prodotto NAND TLC a 144 strati a raggiungere il mercato e l’SSD Intel D5-P5316 è costruito attorno alla prima NAND QLC a 144 strati del settore. Intel ha sviluppato queste tecnologie nel corso degli ultimi dieci anni.
