IBM e Samsung annunciano un nuovo chip chiamato VTFET, una svolta per i semiconduttori non solo dal punto di vista della progettazione convenzionale, ma anche e soprattutto per le potenzialità in termini di performance e riduzione dei consumi energetici – si stima che VTFET necessiterà fino all’85% di energia in meno.
Sviluppato da un team congiunto di ricercatori dell’Albany Nanotech Complex – uno dei centri più avanzati nell’innovazione dei semiconduttori a livello globale – il rivoluzionario prototipo di IBM e Samsung, nuovo nel design, ha un’architettura a transistor verticale basata sulla superficie di un chip. Questo permette ad un numero esponenziale di transistor di essere impilati in verticale all’interno di un chip, rimuovendo i vincoli di densità ed efficienza energetica degli attuali transistor, che sono disposti orizzontalmente per giacere piatti sulla superficie di un semiconduttore.
La riduzione di energia risultante potrebbe portare a significativi miglioramenti nelle prestazioni in svariati ambiti, come: le batterie dei telefoni cellulari che potranno durare più di una settimana senza essere caricate, invece che giorni; i processi ad alta intensità energetica, come le operazioni di criptomining e la crittografia dei dati, che potrebbero richiedere molta meno energia e avere una minore impatto sull’impronta di carbonio; l’espansione dell’Internet of Things e dei dispositivi edge che potrebbe essere accelerata – richiedendo meno energia per operare in ambienti difficili, come boe oceaniche, veicoli a guida autonoma e veicoli spaziali.
L’Albany Nanotech Complex e IBM hanno anche collaborato per produrrei transistor a 2 nm, basati sui chip più densi e più efficienti dal punto di vista energetico mai realizzati fino ad oggi. Il centro è il risultato di miliardi di dollari di investimenti in R&S sui semiconduttori ed è un hub condiviso tra pubblico e privato per la ricerca e la collaborazione scientifica ed è tra i candidati del governo degli Stati Uniti a sede del National Semiconductor Tecnology Center.
